IS42S16320B-7TL SDRAM 64Mb yoğunluk 166MHz Hız 3.3V İşlem 16Mx16 Örgüt LVTTL Arayüz Endüstriyel Sıcaklık (-40°C ~ 85°C) Kompakt TSOP-II Paketi Yüksek güvenilirlik

IS42S16320B-7TL SDRAM 64Mb yoğunluk 166MHz Hız 3.3V İşlem 16Mx16 Örgüt LVTTL Arayüz Endüstriyel Sıcaklık (-40 ve deg;C ~ 85 ve deg;C) Kompakt TSOP-II Paketi Yüksek güvenilirlik

venbsp;

Özellikler

Saat frekansı: 166, 143, 133 MHz

andbull; Tamamen senkronizasyon; tüm sinyaller pozitif bir saat kenarına atıfta bulunur

ve bull; Gizli sıra erişimi / önceden şarj için iç banka

ve boğa; Güç kaynağı

ve  ve  ve  ve  ve  ve  ve  ve  ve  ve  ve  ve  ve  ve  ve  ve  Vddand   ve  Vddq

venbsp; IS42/45S16320B 3.3Vandnbsp; venbsp;3.3V

venbsp; IS42S86400Bandnbsp; venbsp; venbsp; 3.3Vandnbsp; venbsp;3.3V

vebull; LVTTL arayüzü

Programlanabilir patlama uzunluğu ve sandalye; (1, 2, 4, 8, tam sayfa)

Programlanabilir patlama dizisi: Sequencial/Interleave

andbull; Otomatik Yenileme (CBR)

ve bull; Self Refresh

andbull; her 16 ms (A2 sınıfı) veya 64 ms (Ticari, Endüstriyel, A1 sınıfı) 8K yenileme döngüleri

vebull; Her saat döngüsünde rastgele sütun adresi

andbull; Programlanabilir CAS gecikme (2, 3 saat)

andbull; Burst okuma/yazma ve burst okuma/tek yazma işlemleri yeteneği

andbull; patlama durdurma ve önceden şarj komutu ile patlama sonlandırma

andbull; 54 pinli TSOP-II ve 54 toplu W-BGA'da (yalnızca x16)

ve bull; Çalışma sıcaklık aralığı:

venbsp; Ticari: 0oC ila +70oC

Endüstriyel: -40oC'den +85oC'ye kadar

venbsp; Otomotiv, A1: -40oC'den +85oC'ye kadar

venbsp; Otomotiv, A2: -40oC'den +105oC'ye kadar

venbsp;

ÖZERLEK

ISSIand#39;in 512Mb Eşzamanlı DRAM, boru hattı mimarisini kullanarak yüksek hızlı veri aktarımı sağlar. Tüm giriş ve çıkış sinyalleri saat girişinin yükselen kenarına atıfta bulunur.512Mb SDRAM aşağıdaki gibi düzenlenmiştir:.

venbsp;

Aygıt Özetleri

512Mb SDRAM, 536'yı içeren 3.3V Vdd ve 3.3V Vddq bellek sistemlerinde çalışması için tasarlanmış yüksek hızlı bir CMOS, dinamik rastgele erişim hafızasıdır.870912 bit, içsel olarak senkronizasyon arayüzü olan dört banka DRAM olarak yapılandırılmış.217728 bitlik banka 8192 satır, 1024 sütun ve 16 bit olarak düzenlenmiştir.217728 bitlik bankalar 8 bitlik 2048 sütunlu 8 bitlik 8192 satır halinde düzenlenmiştir.

512 Mb SDRAM, bir AUTO REFRESH MODE ve bir güç tasarrufu, güç kesme modu içerir.Tüm girişler ve çıkışlar LVTTL uyumludur..

512 Mb SDRAM, otomatik sütun adresi üretimi ile yüksek bir veri hızında sinkroniz verileri patlatma yeteneğine sahiptir.İç bankalar arasında ön şarj süresini gizlemek için ara geçiş yapabilme yeteneği ve patlama erişim sırasında her saat döngüsünde sütun adreslerini rastgele değiştirme yeteneği.

Patlama dizisinin sonunda başlatılan kendiliğinden zamanlanan bir sıra önceden şarj, AUTO PRECHARGE fonksiyonu etkinleştirildiğinde kullanılabilir.Diğer üç bankadan birine erişirken bir banka şarj et., yüksek hızlı, rastgele erişim işlevi.

SDRAM okuma ve yazma erişimleri, seçilen bir konumdan başlayarak ve programlanmış bir dizide programlanmış sayıda konum için devam ederek patlama odaklıdır.Bir ACTIVE komutunun kaydı başlıyor, ardından READ veya WRITE komutu kullanılır. ACTIVE komutu, kayıtlı adres bitleri ile birlikte erişilecek banka ve satırı seçmek için kullanılır (BA0, BA1 banka seç;A0-A12 satırı seçin). Kaydedilen adres bitleri ile birlikte READ veya WRITE komutları, patlama erişimi için başlangıç sütunu konumunu seçmek için kullanılır.

Programlanabilir OYUN veya YAZIM patlama uzunlukları, patlama sonlandırma seçeneği ile 1, 2, 4 ve 8 konumdan veya tam sayfadan oluşur.

venbsp;

Açıklama

512Mb SDRAM'lar, 3.3V'de çalışan ve senkron bir arayüz içeren dört banka DRAM'lardır (tüm sinyaller saat sinyalinin pozitif kenarında kaydedilir, CLK).217728 bitlik bankalar 8192 satır 1024 sütun 16 bit veya 8192 satır 2048 sütun 8 bit olarak düzenlenmiştir.

SDRAM'a okuma ve yazma erişimleri patlama odaklıdır; erişimler seçilen bir konumdan başlar ve programlanmış bir dizi içinde programlanmış sayıda konum için devam eder.Erişimler bir ACTIVE komutunun kaydıyla başlar ve ardından bir READ veya WRITE komutu gelir.. ACTIVE komutuna denk kayıtlı adres bitleri erişilecek banka ve satırı seçmek için kullanılır (BA0 ve BA1 bankayı seçer, A0 A12 satırı seçer). Adres bitleri A0-A9 (x16);A0-A9, A11 (x8) kayıtlı READ veya WRITE komutu ile aynı zamanda, patlama erişimi için başlangıç sütunu konumunu seçmek için kullanılır.

SDRAM normal çalışmadan önce paraf edilmelidir.Komut açıklamaları ve cihazın işletilmesi.

venbsp;

BİLGİ

venbsp;

Çizim

Bizim avantajımız:

• Yüksek kaliteli ürünler --- tekliflerimiz %100 yeni ve orijinal, ROHS
• Rekabetçi fiyat --- iyi satın alma kanalları iyi fiyatla.
• Profesyonel hizmet --- sevkiyattan önce sıkı kalite testi ve satın aldıktan sonra mükemmel satış sonrası hizmet.
• Yeterli envanter --- Güçlü satın alma ekibimizin desteğiyle,
• Hızlı teslimat --- ödeme onaylandıktan sonra malları 1-3 iş günü içinde göndereceğiz.

venbsp;

Her türlü bileşene ihtiyacınız olduğundan emin olun.Evet.


Ürün Listesi
Elektronik bileşenler serisi, tam yelpazede yarı iletkenler, aktif ve pasif bileşenler. PCB'nin tümünü elde etmenize yardımcı olabiliriz.


Teklifler şunları içeriyor:
Entegre devreler, hafıza IC'leri, diyotlar, transistörler, kondansatörler, dirençler, varistorlar, sigortalar, trimmerler ve potansiyometrler, transformatörler, piller, kablolar, röleler, anahtarlar, bağlantılar, terminal blokları,Kristal ve ampOssilatör, Endüktör, Sensör, Transformör, IGBT Sürücüsü, LED, LCD, Konvertör, PCB (Yazdırılmış devreler kartı),PCBA (PCB Montajı)

Güçlü bir marka:
Mikroçip, MAX, AD, TI, ATMEL, ST, ON, NS, Intersil, Winbond, Vishay, ISSI, Infineon, NEC, FAIRCHILD, OMRON, YAGEO, TDK vb.